以光學(xué)紫外曝光為例，首先將硅片定位在光學(xué)系統(tǒng)的聚焦范圍內(nèi)，日本HD三坐標(biāo)諧波FHA-32C-50-E250-C硅片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與掩模版上相匹配的標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)后，紫外光通過光學(xué)系統(tǒng)和掩模版圖形進(jìn)行投影。掩模版圖形若以亮暗的特征出現(xiàn)在硅片上，這樣光刻膠就曝光了。

。該曝光系統(tǒng)包括一個(gè)紫外光源、一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)、一塊由芯片圖形組成的投影掩模版、一個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和涂過光刻膠的硅片。硅片放在可以實(shí)現(xiàn)X、Y、Z、q方向運(yùn)動(dòng)的承片臺(tái)上，由對(duì)準(zhǔn)激光系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)承日本HD三坐標(biāo)諧波FHA-32C-50-E250-C片臺(tái)上的硅片與掩模版之間的對(duì)準(zhǔn)，由光源系統(tǒng)、投影掩模版、投影透鏡實(shí)現(xiàn)硅片上光刻膠的曝光。曝光過程包括：聚焦、對(duì)準(zhǔn)、曝光、步進(jìn)和重復(fù)以上過程。

光學(xué)曝光技術(shù)經(jīng)歷了不同的發(fā)展階段。按照掩模版與硅片的位置關(guān)系區(qū)分日本HD三坐標(biāo)諧波FHA-32C-50-E250-C，從最初的接觸式曝光，發(fā)展到接近式曝光，直到現(xiàn)在的投影式曝光。曝光光源主要使用紫外光、深紫外光、極紫外光，現(xiàn)今最常用的是：汞燈和準(zhǔn)分子聚光光源。