哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L

半導(dǎo)體芯片的制造可以分為制造準(zhǔn)備、制造過程兩個(gè)階段。哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L制造準(zhǔn)備階段需要做的工作包括集成電路設(shè)計(jì)、掩模板設(shè)計(jì)制造、硅片的制備、制造環(huán)境的創(chuàng)建。芯片制造過程包括的主要工藝有薄膜生成工藝（氧化、淀積）、圖形轉(zhuǎn)移工藝（光刻、刻蝕）、摻雜工藝（擴(kuò)散、離子注入）以及其他輔助工藝（熱處理哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L、清洗、CMP）等。芯片制造工藝設(shè)備按照工藝過程組成相應(yīng)的生產(chǎn)線。

1. 半導(dǎo)體芯片制造工藝

以64GbCOMS器件制造為例，整個(gè)工藝過程大約需要180個(gè)主要步驟、52個(gè)清洗/剝離步驟以及多達(dá)28塊掩模板。這些工藝步驟基本上都屬于上述四種基本工藝。如果集成電路的特征值進(jìn)一步減少時(shí)，哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L需要的工藝步驟數(shù)將會(huì)增加到500或更多。